Садофьев Юрий Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1570–1575
2. Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера
   
   Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23
3. Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1665–1671
4. Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1612–1618
5. Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  128–133
6. Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров
   
   Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  207–212
7. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502
8. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
9. Исследование способов уменьшения частоты генерации терагерцового квантово-каскадного лазера с каскадом, состоящим из двух квантовых ям
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1430–1434
10. Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1424–1429
11. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
12. Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1393–1397
13. Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1186–1193
14. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
15. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1514–1518
16. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648
17. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  422–429
18. Многопериодная структура для фонтанного режима генерации униполярного лазера
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  685–690