Маремьянин Кирилл Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
2. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
3. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
4. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
5. Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912
6. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
7. Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883
8. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
9. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
10. Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485
11. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
12. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
13. THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463
14. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
15. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
16. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
17. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
18. Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203
19. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502
20. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503
21. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
22. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
23. Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1424–1429
24. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
25. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
26. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648
27. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47