Жолудев Максим Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  337–342
2. Резонансная оже-рекомбинация в квантовых ямах HgTe/CdHgTe для лазеров среднего инфракрасного диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  35–38
3. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
4. Расчет резонансных состояний двухвалентного кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  438–443
5. Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  432–437
6. Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:5 (2022),  307–312
7. Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471
8. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
9. Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  861–868
10. Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  391–396
11. Применение метода матрицы рассеяния для расчета примесных состояний в полупроводниковых структурах
    
    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  26–29
12. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
13. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора
    
    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
14. Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  695–699
15. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
16. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
17. Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1660–1664
18. Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899
19. Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1569–1574
20. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
21. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
22. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
23. Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1188–1197
24. Теория резонанса Фано в спектрах примесного возбуждения $p$-GaAs
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1112–1120
25. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841