|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 343–348
-
Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te
Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 337–342
-
Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие
Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 173–178
-
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 551–554
-
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме “медленной” эволюции
Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 973–978
-
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1245–1252
-
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355
-
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1336–1343
-
Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1557–1564
-
Spin-orbit lateral superlattices: energy bands and spin polarization in 2DEG
Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006), 399–404
© , 2026