Занавескин Максим Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  91–96
2. Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек “кремний на алмазе” для устройств на основе нитрида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 48:7 (2022),  20–22
3. Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  26–29
4. Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  13–16
5. Особенности теплопереноса в гетероструктурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/GaN на сапфире
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  635–639
6. Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  962–967
7. Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  11–14
8. Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники
   
   Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  38–40
9. Сверхпроводящий контакт для ВТСП-лент второго поколения
   
   Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  18–20
10. Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  52–54
11. Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  630–636
12. Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN
    
    ЖТФ, 87:8 (2017),  1275–1278
13. Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью
    
    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  47–53
14. Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:11 (2014),  80–86
15. Исследование влияния материала контакта мемристора на его устойчивость к деградации при циклических переключениях
    
    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  87–94
16. Исследование влияния кислородного индекса мишени на критические характеристики эпитаксиальных слоев YBa$_2$Cu$_3$O$_x$, сформированных методом импульсного лазерного осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  58–63
17. Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения
    
    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  53–59
18. Разработка метода расчета фактора корреляции рельефов подложки и пленочного покрытия по данным атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  1–6
19. Оптические свойства одномерных субволновых плазмонных наноструктур
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  823–826