Луценко Евгений Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
2. Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu$_2$ZnSnSe$_4$
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1699–1707
3. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
4. Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1058–1065
5. Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  540–544
6. Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  535–539
7. Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1120–1125
8. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
9. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  342–348
10. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
11. Перестройка оптических центров и стимулированное излучение Eu$^{3+}$ в поликристаллах хантита при оптическом и электронном возбуждении
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:8 (2010),  547–552
12. Примесная люминесценция монокристаллов ZnS : O при высоких уровнях фото- и стримерного возбуждения
    
    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3530–3536
13. Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1920–1927


14. Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2058–2066