Кайбышев Вадим Халитович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  11–14
2. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
3. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
4. Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488
5. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
6. Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  213–219
7. Линейная поляризация излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe, индуцированная анизотропным профилем интерфейсов
   
   Письма в ЖЭТФ, 83:7 (2006),  346–350