Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)
Физика твердого тела, 65:2 (2023), 173–179
-
Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 279–284
-
Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27
-
Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71
-
Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2095–2101
-
Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста
Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437
© , 2026