Гутаковский Антон Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сравнительное исследование кристаллической структуры тонких пленок стехиометрических и нестехиометрических оксидов титана
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  970–977
2. Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613
3. Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора
   
   Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  37–41
4. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
5. Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)
   
   Физика твердого тела, 61:2 (2019),  284–287
6. Анализ закономерностей формирования нанокристаллов сульфидов металлов, синтезированных с применением технологии Ленгмюра–Блоджетт
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:11 (2019),  734–738
7. Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264
8. Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  112–117
9. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171
10. Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1280–1285
11. Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:12 (2017),  746–751
12. Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017),  21–25
13. Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904
14. Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288
15. Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016),  785–791
16. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
17. Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки
    
    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  746–752
18. Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  767–771
19. Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  519–523
20. Особенности пластической релаксации метастабильного слоя Ge$_x$Si$_{1-x}$, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge
    
    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  247–253
21. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014),  81–86
22. Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  601–603
23. Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1571–1575
24. Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs
    
    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1903–1909
25. Краевые дислокации несоответствия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si(001) ($x\sim$ 1): роль промежуточного буферного слоя Ge$_y$Si$_{1-y}$ $(y<x)$ в их образовании
    
    Физика твердого тела, 53:9 (2011),  1699–1705
26. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011),  348–352
27. Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных на подложках из Si(310)
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  956–964
28. Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010),  429–437
29. Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330
30. Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005),  149–153
31. Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  70–73
32. Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$
    
    Докл. АН СССР, 304:3 (1989),  604–606
33. Структура пленок и границ раздела в многослойных системах на основе арсенидов индия и галлия
    
    Докл. АН СССР, 304:2 (1989),  355–357