Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках
Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 28–31
-
Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления
Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 30–36
-
Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27
-
Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71
-
Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2095–2101
-
Морфология, структурные и электрофизические свойства монокристаллов бестигельного Si(111)
Письма в ЖТФ, 41:15 (2015), 33–39
-
Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста
Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437
© , 2026