|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках
Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 28–31
-
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413
-
Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани $\mathrm{Si(133)}$-$6\times2$
Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 469–476
-
Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1630–1634
-
Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 155–159
-
Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт
Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1237–1242
-
Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и
зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si
Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 884–893
-
Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста
Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437
-
Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557)
Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 467–469
-
Оптические фононы в квантовых точках Ge, полученных на Si(111)
Письма в ЖЭТФ, 75:6 (2002), 314–317
© , 2026