Лобанов Дмитрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:8 (2025),  688–695
2. Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1148–1156
3. Фотоиндуцированная перенормировка запрещенной зоны в вырожденных узкозонных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  563–570
4. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
5. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43
6. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
7. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
8. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
9. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
10. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
11. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
12. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
13. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
14. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268
15. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1458–1462
16. Структурные и оптические свойства метастабильных пленок SiGe/Si с низким содержанием германия
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1896–1905
17. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46
18. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1580–1585
19. Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1509–1512
20. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409
21. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
22. Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  665–672
23. Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками
    
    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  7–15
24. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  63–67
25. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234
26. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206
27. Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  341–345
28. Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  418–421
29. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  346–351
30. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429