Пшеничнюк Станислав Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок тиофен-фенилен со-олигомера и замещенного бифенила на поверхности послойно выращенного ZnO
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  2061–2067
2. Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок фенолфталеина на поверхности ZnO, сформированного методом молекулярного наслаивания
   
   Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1851–1855
3. Нековалентные структуры отрицательных ионов, образующиеся при диссоциативном захвате электронов молекулами
   
   ЖТФ, 92:11 (2022),  1652–1658
4. Современное состояние и перспективы спектроскопии диссоциативного захвата электронов
   
   УФН, 192:2 (2022),  177–204
5. Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок кватерфенила на поверхностях послойно сформированного CdS и окисленного кремния
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1177–1182
6. Незаполненные электронные состояния и потенциальный барьер в пленках замещенных дифенилфталидов на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита
   
   Физика твердого тела, 63:2 (2021),  299–303
7. Допирование несопряженного полимера органическим соединением с двумя устойчивыми энергетическими состояниями
   
   ЖТФ, 91:5 (2021),  874–878
8. Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок тиофен-фенилен со-олигомеров на поверхности поликристаллического золота
   
   Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1741–1746
9. Плотность свободных электронных состояний полупроводниковых пленок молекул нафталина и дифенилфталида, модифицированных электроактивными функциональными группами
   
   Физика твердого тела, 62:7 (2020),  1116–1121
10. Прохождение низкоэнергетических электронов и плотность незаполненных состояний сверхтонких слоев TCNQ на поверхности окисленного кремния
    
    Физика твердого тела, 62:7 (2020),  1105–1110
11. Определение сродства к электрону на основе экспериментально измеренных времен жизни отрицательных молекулярных ионов производных кумарина
    
    Математическая физика и компьютерное моделирование, 23:3 (2020),  45–59
12. Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок дифенилфталида на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита
    
    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1960–1964
13. Атомный состав и морфология тонких пленок ресвератрола на поверхности окисленного кремния и поликристаллического золота
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  598–603
14. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров и поверхностью окисленного кремния
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  1012–1017
15. Плотность электронных состояний в зоне проводимости сверхтонких пленок дикарбоксильно замещенного и тетракарбоксильно замещенного нафталина на поверхности окисленного кремния
    
    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  799–804
16. Образование и распад отрицательных ионов производных фталида
    
    ЖТФ, 88:7 (2018),  1085–1090
17. Атомный состав и стабильность монослоев Ленгмюра–Блоджетт на основе силоксанового димера кватертиофена на поверхности поликристаллического золота
    
    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2462–2467
18. Плотность незаполненных электронных состояний осажденных в вакууме пленок диоктил-замещенного и дифенил-замещенного перилен-дикарбоксимида
    
    Физика твердого тела, 59:2 (2017),  389–393
19. Электронная структура зоны проводимости пограничной области сверхтонких пленок замещенных перилен-дикарбоксимидов и поверхности оксида германия
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1836–1840
20. Структура вакантных электронных состояний поверхности окисленного германия при осаждении пленок перилен-тетракарбонового диангидрида
    
    Физика твердого тела, 58:2 (2016),  367–371
21. Внутренняя конверсия как основной механизм стабилизации долгоживущих молекулярных отрицательных ионов
    
    ЖТФ, 84:9 (2014),  17–25
22. Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  948–953
23. Спектроскопические состояния отрицательных ионов PTCDA и их связь с максимумами плотности вакантных состояний зоны проводимости
    
    ЖТФ, 81:6 (2011),  8–13
24. О механизме задержки распада двухатомного отрицательного иона Cl$_2^-$ до микросекундных времен
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  331–335