Кавеев Андрей Камильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  11–15
2. Физические принципы фильтрации и устройство фильтров терагерцового излучения
   
   УФН, 196:2 (2026),  182–204
3. Эпитаксиальное выращивание тонких пленок Ca$_{1-x}$Ba$_x$F$_2$ на Si(111) и исследование электрофизических характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник на их основе
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  26–30
4. Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  7–10
5. Преобразователи поляризации терагерцового излучения: физические принципы, устройство и применение
   
   УФН, 195:3 (2025),  311–333
6. Формирование островков и нитевидных нанокристаллов на коротких затравках InAs при эпитаксиальном росте InAs$_{1-x}$N$_x$ на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  7–10
7. Формирование одиночных и гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов на основе твердых растворов $\mathrm{InAs}_{1-x}\mathrm{P}_x$ на $\mathrm{Si}(111)$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  526–529
8. Оптимизация буферного диэлектрического слоя для создания малодефектных эпитаксиальных пленок топологического изолятора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te c $x\ge$ 0.4
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  642–645
9. Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te на Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  625–628
10. Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  859–864
11. Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  10–15
12. Выращивание методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN и характеризация их структурных и магнитных свойств
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  72–78
13. Фокусировка излучения лазера терагерцового диапазона (Novofel) в соосный отрезок
    
    Компьютерная оптика, 39:1 (2015),  58–63
14. Управление поперечно-модовым составом терагерцового лазерного излучения с помощью элементов бинарной кремниевой оптики
    
    Компьютерная оптика, 38:4 (2014),  763–769
15. Кремниевая оптика для фокусировки лазерного излучения терагерцового диапазона в заданные двумерные области
    
    Компьютерная оптика, 37:4 (2013),  464–4700
16. Магнитный порядок в эпитаксиальном слое MnF$_2$ с орторомбической структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  185–188