RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Соколов Николай Семёнович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Тонкие пленки гексаферрита BaM (BaFe$_{12}$O$_{19}$) на подложках Al$_2$O$_3$(01–12): кристаллическая структура и магнитные свойства

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1123–1126
  2. Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  272–277
  3. Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика

    Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  27–30
  4. Магнитные и магнитооптические свойства тонких пленок гексаферрита BaM, выращенных на подложках Al$_2$O$_3$(0001) методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2096–2099
  5. Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  888–892
  6. Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  844–849
  7. Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  150–157
  8. Релаксационные потери магнитных возбуждений в наноразмерных пленках железо-иттриевого граната

    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  10–18
  9. Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$

    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  10–15
  10. Выращивание методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN и характеризация их структурных и магнитных свойств

    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  72–78
  11. Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы

    Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1610–1615
  12. Исследование структуры и люминесцентных свойств сверхрешеток CdF$_2$–CaF$_2$ : Eu на Si(111)

    Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1396–1402
  13. Стабилизация орторомбической фазы NiF$_2$ в эпитаксиальных гетероструктурах на подложках CaF$_2$/Si(111)

    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  61–68
  14. Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники

    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  26–33
  15. Магнитный порядок в эпитаксиальном слое MnF$_2$ с орторомбической структурой

    Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  185–188
  16. Исследование упругих характеристик эпитаксиальных слоев CaF$_{2}$ на Si(III) методом Мандельштам-бриллюэновской спектроскопии

    Письма в ЖТФ, 18:19 (1992),  44–49
  17. Напряженные слои и сверхрешетки CaF$_{2}{-}$SrF$_{2}$ на кремнии и арсениде галлия

    Письма в ЖТФ, 17:21 (1991),  28–32
  18. Исследование структуры тонких эпитаксиальных слоев CaF$_{2}$ на Si (111) методами примесной фотолюминесценции и стоячих рентгеновских волн

    Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  7–12
  19. Молекулярно-лучевая эпитаксия и фотолюминесцентное определение упругих деформаций слоев CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111)

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  214–219
  20. Фотолюминесцентное исследование упругих деформаций в эпитаксиальных слоях CaF$_{2}$/Si(111)

    Физика твердого тела, 31:2 (1989),  75–79
  21. Осцилляции интенсивности дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии $Ca\,F_2/Si$ (111)

    Письма в ЖТФ, 13:23 (1987),  1442–1446
  22. Молекулярно-лучевая эпитаксия слоев $Ca\,F_2$ на $Si$ (III) и измерение их деформаций по спектрам примесной фотолюминесценции

    Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  961–966
  23. Диамагнитные экситоны и гофрировка валентной зоны $\Gamma^{+}_{7}$ в кристаллах закиси меди

    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  1998–2008
  24. Дисперсия валентных зон $\Gamma^{+}_{7}{-}\Gamma^{+}_{8}$ и циклотронный резонанс дырок в кристаллах закиси меди

    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  416–420
  25. Спектральная зависимость селективной оптической накачки электронов в долины зоны проводимости кремния

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1328–1331
  26. Круговая поляризация люминесценции ортоэкситонов в кристаллах закиси меди в магнитном поле

    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  471–474
  27. Поляризация люминесценции параэкситонов в кристаллах закиси меди в магнитном поле

    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3002–3008
  28. Люминесценция и оптическое детектирование ЭПР триплетных состояний в кристаллах закиси меди

    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2338–2342


© МИАН, 2026