RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Червяков Анатолий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425
  2. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295
  3. Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения

    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  493–499
  4. Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  708–711
  5. Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$$n$-перехода

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  198–201
  6. Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  177–181
  7. Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1238–1242
  8. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220
  9. Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  330–334
  10. Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1124–1129
  11. Фемтосекундное наноструктурирование кремниевых поверхностей

    Письма в ЖЭТФ, 83:2 (2006),  76–79
  12. Температурная зависимость доменной структуры BiVO$_{4}$

    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  231–233
  13. Температурная зависимость показателей преломления BiVO$_{4}$

    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2782–2784


© МИАН, 2026