Кожевникова Наталья Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. The lifetime of polychlorophenyl radicals in methanol: A SCC–DFTB molecular dynamics study
   
   Mendeleev Commun., 33:5 (2023),  661–665
2. Surface topology, electrophysical properties and formation mechanism of tin(ii) sulfide thin films
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 14:6 (2023),  699–704
3. Fabrication of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ thin films by selenising Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe precursor layers: effects of the sequence of layers
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  819
4. A facile low-temperature deposition of Sn-rich tin (II) monosulfide colloid particles
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 11:5 (2020),  529–536
5. Synthetic pathway of a Cu$_2$ZnSnS$_4$ powder using low temperature annealing of nanostructured binary sulfides
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 8:6 (2017),  787–792
6. Наночастицы сульфида кадмия, полученные методом химического осаждения из растворов
   
   Усп. хим., 84:3 (2015),  225–250
7. Geometry of lead sulfide nanoparticles with a NaCl-type structure
   
   Mendeleev Commun., 24:1 (2014),  55–57
8. A facile route of coupling of ZnO nanorods by CdS nanoparticles using chemical bath deposition
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 5:4 (2014),  579–589
9. Микроструктура и кристаллическая структура нанокристаллических порошков и пленок PbS
   
   Физика твердого тела, 54:8 (2012),  1459–1465
10. Влияние размерно-структурного фактора на магнитную восприимчивость наночастиц сульфида кадмия CdS
    
    Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1228–1233
11. Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа $D0_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1621–1632
12. Идентификация структурных вакансий в карбидах, оксидах и сульфидах методом доплеровского уширения линии гамма-квантов
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010),  167–171
13. Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1394–1400