Шалыгин Вадим Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673
2. Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования
   
   Физика твердого тела, 57:4 (2015),  768–774
3. Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)
   
   Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2014, № 1(189),  157–163
4. Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием
   
   Физика твердого тела, 55:2 (2013),  260–264
5. Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1599–1603
6. Спиновая ориентация дырок при протекании тока в теллуре
   
   Физика твердого тела, 54:12 (2012),  2237–2247
7. Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1566–1570
8. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
   
   Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
9. Spin photocurrents and circular photon drag effect in (110)-grown quantum well structures
   
   Письма в ЖЭТФ, 84:10 (2006),  666–672
10. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
    
    УФН, 169:4 (1999),  459–464