Скуратов Владимир Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  298–301
2. Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1467–1470
3. Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  332–339
4. Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  550–556
5. Эффект дальнодействия в 6H-SiC при облучении ионами Хе
   
   Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  47–53
6. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  167–174
7. Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в наноперфорированном графене
   
   Письма в ЖЭТФ, 98:4 (2013),  242–246
8. Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  334–339
9. Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO$_2$ при облучении тяжелыми ионами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1363–1368
10. Зарядовая спектроскопия слоев SiO$_2$ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  591–595
11. Влияние состава слоев SiO$_x$ на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  419–424
12. Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO$_2$ при облучении быстрыми тяжелыми ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  544–549
13. Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO$_2$: структурные, оптические, электронные свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  501–506
14. Атомная “камера-обскура” с нанометровым разрешением
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:8 (2006),  544–547
15. Аномальное поведение токового шума в YBaCuO микроболометрах выше $T_{c}$
    
    Письма в ЖТФ, 17:8 (1991),  9–13
16. Исследование воздействия пучков ионов $^{84}$Kr и $^{16}$O$_{2}$ на шумовые характеристики YBaCuO микроболометров
    
    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  9–14
17. Влияние ионизационных и ядерных потерь энергии тяжелых ионов на дефектообразование в кристаллах LiF
    
    Физика твердого тела, 31:7 (1989),  17–21
18. Радиационное упрочнение металлов, облученных тяжелыми ионами
    
    ЖТФ, 59:5 (1989),  107–111
19. Исследование методом аннигиляции позитронов дефектов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  328–331
20. Влияние бомбардировки тяжелыми ионами высоких энергий на оптические свойства и дефекты в монокристаллах окиси цинка
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  306–310
21. Дефектообразование в синтетическом алмазе при высокоэнергетичной ионной имплантации
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1095–1100
22. Влияние высокоэнергетичного ионного облучения на ползучесть алюминия
    
    ЖТФ, 53:9 (1983),  1804–1808