Синченко Александр Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Взаимодействие волн зарядовой плотности в моноклинной фазе NbS$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  412–418
2. Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe$_3$ и HoTe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023),  171–176
3. Гистерезис тензора сопротивления в полителлуридах редкоземельных металлов
   
   Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1139–1143
4. Избыточная проводимость анизотропных неоднородных сверхпроводников при температуре выше критической
   
   Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1599–1602
5. Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  196–199
6. Магнитосопротивление в режиме движущейся волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 107:8 (2018),  507–511
7. Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017),  748–753
8. Поперечное напряжение в отсутствие магнитного поля в квазиодномерном проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011),  60–62
9. Аномальная асимметрия магнитосопротивления монокристаллов $\mathrm{NbSe_3}$
   
   Письма в ЖЭТФ, 84:5 (2006),  329–333
10. Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe$_3$ при различной ориентации магнитного поля
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005),  162–165
11. Мезоскопические свойства квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002),  714–1
12. Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  103–108
13. Управление электронным спектром квазиодномерного проводника K$_{0.3}$MoO$_3$ с помощью микроконтакта
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001),  191–194