RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Немов Сергей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Изменение скорости поворота кристаллической решетки в сферолитовых тонких пленках с увеличением толщины

    Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  37–40
  2. Деформация кристаллической решетки при формировании сферолитовой микроструктуры в тонких пленках цирконата-титаната свинца

    Физика твердого тела, 67:5 (2025),  861–865
  3. Полярные свойства сферолитовых тонких пленок цирконата-титаната свинца, полученных высокотемпературным отжигом из аморфной фазы

    Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1957–1963
  4. Влияние механических напряжений на величину внутреннего поля в тонких пленках цирконата-титаната свинца

    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  41–44
  5. Photovoltaic and thermal effects at PbTe $p$–$n$ junction under CO$_2$ laser irradiation

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  834
  6. Температурные зависимости коэффициента термоэдс, удельного сопротивления и теплопроводности электронного и дырочного пирита FeS$_{2}$ в интервале 293–400 K

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  826–831
  7. Оптические фононы в полупроводниковых соединениях TlFeS$_{2}$, TlFeSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  673–678
  8. Эллипсометрические исследования монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  665–668
  9. High perfection bulk and film thermoelectrics based on PbTe doped by In

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  499
  10. Отражение от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  228–231
  11. О зонной структуре Bi$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  608–611
  12. Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  309–313
  13. Оптические свойства полиэтилена, наполненного нанокристаллитами Bi$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  235–240
  14. Особенности структуры и свойств тонких пленок цирконата-титаната свинца с сильно неоднородным распределением состава по толщине

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  41–44
  15. Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1197–1202
  16. Спектры отражения кристаллов $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ : Sn в широкой ИК области

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1346–1350
  17. О зонной структуре твердых растворов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным кинетических и оптических явлений

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1034–1037
  18. Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  981–985
  19. Влияние температуры и легирования Cu на спектры отражения кристаллов PbSb$_{2}$Te$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  331–334
  20. Энергетический спектр дырок твeрдого раствора Sb$_{2}$Te$_{2.9}$Se$_{0.1}$ по данным явлений переноса

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2208–2211
  21. Отражение кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$ в широкой спектральной области

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1343–1347
  22. Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста–Эттингсгаузена и Зеебека

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1346–1350
  23. Влияние межзонного рассеяния на кинетические коэффициенты и оценки параметров зонного спектра Sb$_2$Te$_3$

    Физика твердого тела, 56:9 (2014),  1696–1701
  24. Влияние межзонного рассеяния на явления переноса в $p$-PbSb$_2$Te$_4$

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1027–1032
  25. Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  586–590
  26. Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  18–23
  27. Проявление плоских и гофрированных рельефов поверхности платиновых фольг в картинах дифракции медленных электронов

    Письма в ЖТФ, 39:8 (2013),  55–61
  28. Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi$_4$Te$_7$ (Me = Ge, Pb, Sn)

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1279–1285
  29. Комбинационное рассеяние света в пленках твердых растворов Bi$_2$(Te$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1163–1167
  30. Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb$_2$Te$_4$

    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  463–468
  31. Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках (Обзор)

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  3–23
  32. Андерсоновская локализация и псевдощель в энергетическом спектре дырок в PbTe : Tl при наличии резонансного рассеяния

    Физика твердого тела, 53:5 (2011),  878–880
  33. Легирование твердого раствора Bi$_{1.9}$Sb$_{0.1}$Te$_3$ примесью Sn

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1021–1025
  34. Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  740–742
  35. Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  437–440
  36. Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  38–43
  37. Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi$_4$Te$_7$. Эксперимент и расчеты

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  759–763
  38. Переход сверхпроводник-диэлектрик в $\mathrm{(Pb_zSn_{1-z})_{0.84}In_{0.16}Te}$

    Письма в ЖЭТФ, 84:1 (2006),  37–42
  39. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности

    УФН, 168:8 (1998),  817–842
  40. Сверхпроводящие свойства твердых растворов Sn$_{1-x}$Ge$_{x}$Te, легированных индием

    Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1216–1219
  41. Самокомпенсация электроактивных примесей собственными дефектами в твердых растворах Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1493–1499
  42. Примесные состояния In в GeTe

    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1405–1408
  43. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  201–222
  44. Теплопроводность PbTe, легированного одновременно In и I

    Физика твердого тела, 33:5 (1991),  1597–1600
  45. Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей вакансиями в Pb$_{0.093}$Sn$_{0.07}$Se

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1634–1638
  46. Особенности явлений переноса в PbTe, легированном одновременно Tl и Si

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  979–982
  47. Примесные состояния In в твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se

    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  444–447
  48. Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  114–117
  49. Неидеальный гетеропереход $p$-PbTe$-$$n$-Si

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  106–109
  50. Зависимость параметров сверхпроводящего перехода в PbTe$\langle$Tl$\rangle$ от сорта и количества изовалентной примеси

    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3441–3443
  51. Сверхпроводимость в твердых растворах PbTe$_{1-x}$S$_{x}$, с примесью таллия

    Физика твердого тела, 32:1 (1990),  122–126
  52. Примесные состояния таллия в Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1589–1591
  53. Особенности энергетического спектра Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$Tl, Na$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1391–1396
  54. Глубокая самокомпенсация в системе $\text{PbSe}\langle\text{Cl,Se}_{\text{изб}}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1116–1118
  55. Явления переноса в $p$-PbTe$\langle$Ag, Na$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  292–294
  56. Влияние дополнительного легирования различными примесями на сверхпроводящий переход в РbТе$\langle\text{Тl}\rangle$

    Физика твердого тела, 31:4 (1989),  268–270
  57. Особенности явления самокомпенсации в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2043–2045
  58. Плотность резонансных состояний по данным термоэдс в PbTe$\langle\text{Тl}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1370–1374
  59. Электрофизические и оптические свойства $p\text{-PbTe}\langle\text{Ag}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  171–173
  60. Сверхпроводимость в теллуриде свинца с примесями таллия и лития

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1886–1887
  61. Особенности самокомпенсации акцепторного действия таллия в PbS

    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2210–2212
  62. Сверхпроводящий переход в тонких слоях PbTe, легированного таллием

    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1058–1062
  63. Влияние резонансного рассеяния носителей тока на кинетические коэффициенты в отсутствие магнитного поля

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1102–1103
  64. Новый квазилокальный уровень в PbTe$\langle$Tl$\rangle$ с добавками сверхстехиометрического свинца

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  859–863
  65. Сверхпроводимость в системе PbTe$_{1-x}$Se$_{x}\langle$Tl$\rangle$

    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2513–2515
  66. Влияние добавок олова на сверхпроводящий переход в РbТе$\langle$Тl$\rangle$

    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  589–592
  67. Зависимость энергетического положения полосы резонансных состояний от температуры и количества примесей в РbТе$\langle$Тl, Na$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1864–1867
  68. Особенности самокомпенсации донорного действия галогенов в теллуриде свинца

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1857–1860
  69. Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  636–641
  70. Влияние состава твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te на резонансные состояния таллия

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  268–271
  71. Влияние давления на сверхпроводящий переход в РbТе, легированном таллием

    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3205–3207
  72. Особенности проводимости PbTe, легированного таллием

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1288–1290
  73. Самокомпенсация донорного действия висмута в теллуриде свинца

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  489–492
  74. Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$, легированных примесью таллия

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1948–1952
  75. Влияние резонансных состояний на эффект Холла и электропроводность в РbТе при одновременном легировании таллием и натрием

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1613–1617

© МИАН, 2026