Форш Павел Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Асимптотический анализ квантового мемристора на ультрахолодном ионе $^{171}$Yb$^+$
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:12 (2025),  860–864
2. Физика в Московском университете
   
   УФН, 195:4 (2025),  335–343
3. Модель связанных квантовых мемристоров на основе пойманного в ловушку одиночного иона $^{171}$Yb$^+$
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:5 (2024),  343–347
4. Квантовые мемристоры — новый подход к нейроморфным вычислениям
   
   УФН, 194:9 (2024),  905–916
5. Влияние наночастиц кремния на проводимость полианилина
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  624–628
6. Особенности проводимости композитов нановолокон ZnO и NiO
   
   Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  20–23
7. Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  33–36
8. Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020),  379–386
9. Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  25–28
10. Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  40–43
11. Электрические свойства тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1535–1538
12. Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si
    
    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  95–101
13. Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  619–623
14. Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок $nc$-Si/$a$-Si : H с различной долей кристаллической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  600–606
15. Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1184–1188
16. Влияние напряжения на чувствительность нанокристаллического оксида индия к диоксиду азота в условиях ультрафиолетовой подсветки
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  97–102
17. Структура и электрофизические свойства пленок жидких кристаллов, изготовленных по ленгмюровской технологии
    
    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  371–374
18. Изменение структуры пленок аморфного гидрогенизированного кремния и концентрации водорода в них при фемтосекундной лазерной кристаллизации
    
    Письма в ЖТФ, 40:4 (2014),  1–8
19. Зависимость проводимости и емкости ленгмюровских пленок жидких кристаллов от температуры
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  552–554
20. Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540
21. Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1283–1287
22. Проводимость нанокристаллического ZnO(Ga)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  637–641
23. Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  769–774
24. Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  518–523
25. Вибронные свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов с несимметричным распределением электронной плотности
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  795–800
26. Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  513–516
27. Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  367–371
28. Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007),  791–794