Сугаков Владимир Иосифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Образование переходов междоузельные атомы–вакансии при имплантации ионов в кристалл
   
   Физика твердого тела, 53:10 (2011),  2023–2031
2. Образование островков конденсированных фаз экситонов в полупроводниковых квантовых ямах в неоднородных полях
   
   Письма в ЖЭТФ, 85:11 (2007),  699–704
3. Индуцированные светом диссипативные сверхрешетки плотности экситонов и вектора поляризации в молекулярных кристаллах с примесями
   
   Физика твердого тела, 34:1 (1992),  103–107
4. Туннелирование электронов через двухбарьерный гетеропереход легированный магнитными примесями, в параллельных электрическом и магнитном полях
   
   Письма в ЖТФ, 18:5 (1992),  15–20
5. Энергетические состояния дефектов в кристаллах фенантрена при фазовом переходе
   
   Физика твердого тела, 33:9 (1991),  2561–2567
6. Роль нейтральных примесей при туннелировании электронов через двойной гетеропереход
   
   Физика твердого тела, 33:2 (1991),  529–535
7. Туннелирование заряженных частиц в электрическом поле в кристаллах с узкими зонами проводимости
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  48–53
8. Автоколебания в системе экситонов
   
   Физика твердого тела, 31:5 (1989),  64–68
9. Автоколебания температуры и плотности дефектов в тонких пластинках под облучением
   
   Физика твердого тела, 30:9 (1988),  2611–2615
10. Возникновение периодических диссипативных структур дефектов в примесных кристаллах под облучением
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2921–2926
11. О сверхрешетках экситонной плотности
    
    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2441–2446
12. Поляритонные эффекты в кристаллах с макроскопическими неоднородностями
    
    Физика твердого тела, 26:9 (1984),  2587–2592
13. Связанные экситонные состояния в полупроводниках с областями разупорядочения
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1716–1719
14. Рассеяние нейтронов в кристаллах с большой передачей энергии решетки и обменом энергией с электронной подсистемой
    
    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3104–3109
15. Влияние электронной оболочки на излучение $\gamma$-квантов ядрами и рассеяние нейтронов в кристаллах при наличии световой волны
    
    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3066–3071
16. Поляритоны, локализованные на электронно-дырочных каплях в прямозонных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1880–1882
17. Поляритонные эффекты в InSe, содержащем макроскопические включения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  977–984