Ненашев Алексей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  614–619
2. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  58–62
3. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
4. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
5. Аналитическое выражение для распределения упругой деформации, создаваемой включением в форме многогранника с произвольной собственной деформацией
   
   Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1761–1766
6. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350
7. Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:5 (2017),  288–292
8. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
9. Температурно-стимулированный переход от макро- к мезоскопическому поведению прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  344–347
10. Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015),  120–124
11. Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  767–771
12. Структуры с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge/Si для логических операций
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  960–965
13. Задача оптимального управления в системе полупроводниковых квантовых точек
    
    Автомат. и телемех., 2011, № 6,  108–114
14. Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  183–191
15. Вычислительная технология оптимизации двумерного управляющего импульса напряжения в системе квантовых точек
    
    Программные системы: теория и приложения, 2:1 (2011),  27–38
16. Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  527–532
17. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194
18. Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  336–340
19. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081
20. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  276–280


21. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2025, № 8,  50–53
22. Новосибирский государственный университет. Физика
    
    Квант, 2024, № 10,  43–45
23. Новосибирский государственные университет
    
    Квант, 2023, № 10,  52–58
24. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2022, № 8,  48–54
25. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2021, № 11-12,  37–41
26. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2020, № 10,  46–53
27. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2019, № 11,  41–51
28. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2018, № 10,  43–50
29. Новосибирский государственный университет
    
    Квант, 2017, № 10,  46–51