RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сарайкин В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe

    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  192–198
  2. Особенности синтеза карбида кремния методом холодной имплантации атомов отдачи углерода

    Письма в ЖТФ, 48:14 (2022),  23–25
  3. Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами

    Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  3–6
  4. Синтез графена методом холодной имплантации атомов отдачи углерода

    Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  52–58
  5. Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1570–1575
  6. Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1612–1618
  7. Магнитные и магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника GaN:Cr

    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  267–270
  8. Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  30–33
  9. Ферромагнетизм кремния, имплантированного Mn: намагниченность и магнито-оптический эффект Фарадея

    Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007),  414–417


© МИАН, 2026