|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe
Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 192–198
-
Особенности синтеза карбида кремния методом холодной имплантации атомов отдачи углерода
Письма в ЖТФ, 48:14 (2022), 23–25
-
Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами
Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 3–6
-
Синтез графена методом холодной имплантации атомов отдачи углерода
Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 52–58
-
Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1570–1575
-
Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1612–1618
-
Магнитные и магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника GaN:Cr
Физика твердого тела, 54:2 (2012), 267–270
-
Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 30–33
-
Ферромагнетизм кремния, имплантированного Mn: намагниченность и магнито-оптический эффект Фарадея
Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007), 414–417
© , 2026