|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электронный и дырочный $g$-факторы в полупроводниках и наноструктурах (Обзор)
Физика твердого тела, 67:11 (2025), 2023–2040
-
Роль сверхтонкого и анизотропного обменного взаимодействий в экситонной люминесценции квантовых точек
Оптика и спектроскопия, 132:8 (2024), 864–868
-
Долинная ориентация электронов и экситонов в атомарно-тонких дихалькогенидах переходных металлов (Миниобзор)
Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021), 10–20
-
Сверхтонкое взаимодействие и рекомбинация Шокли–Рида–Холла в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1200–1206
-
Магнитная циркулярная поляризация фотолюминесценции экситонов
Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1503–1514
-
Эффект дрожащего движения электронов с расщепленными по спину состояниями
Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018), 348–351
-
Фототоки в гиротропных полуметаллах Вейля
Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017), 744–747
-
Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAs$_{1-x}$N$_{x}$ в наклонном магнитном поле
Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1490–1498
-
Эффекты магнитного храповика в двумерном электронном газе
Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016), 662–669
-
Влияние разогрева носителей на фотоэдс в полевом транзисторе
Физика твердого тела, 56:12 (2014), 2426–2429
-
Ближнее поле терагерцевого излучения, прошедшего через плоскую нецентросимметричную решетку
Физика твердого тела, 56:9 (2014), 1772–1778
-
Влияние обменного взаимодействия на спиновые флуктуации локализованных электронов
Физика твердого тела, 56:2 (2014), 254–262
-
Спин-зависимое внутри- и междолинное электрон-фононное рассеяние в германии
Физика твердого тела, 55:8 (2013), 1510–1523
-
Резонансная дифракция электромагнитных волн на твердом теле (Обзор)
Физика твердого тела, 55:5 (2013), 833–849
-
Спиновая физика в полупроводниковых наносистемах
УФН, 182:8 (2012), 869–876
-
Фактор Парселла в малых металлических полостях
Физика твердого тела, 53:9 (2011), 1665–1671
-
Spin-dependent electron dynamics and recombination in GaAs$_{1-x}$N$_x$ alloys at room temperature
Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 208–212
-
Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN
Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 509–512
-
Pure spin photocurrents in low-dimensional structures
Письма в ЖЭТФ, 81:5 (2005), 292–296
-
Прецессионный механизм спиновой релаксации при частых электрон-электронных столкновениях
Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002), 476–478
-
Циркулярный фотогальванический эффект в наноструктурах
УФН, 172:12 (2002), 1461–1465
-
Отражение света от структур с квантовыми ямами, квантовыми проводами и квантовыми точками
Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1815–1822
-
Резонансная делокализация частицы в одномерном случайном потенциале
Физика твердого тела, 34:3 (1992), 948–954
-
Обменное взаимодействие и рассеяние света с переворотом спина дырки на акцепторе в структурах с квантовыми ямами
Физика твердого тела, 34:2 (1992), 476–486
-
Электронный $g$-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках
Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1471–1479
-
Экситонные поляритоны в периодических структурах с квантовыми ямами
Физика твердого тела, 33:8 (1991), 2388–2393
-
Экситоны и примесные центры в полупроводниковой сверхрешетке в методе
эффективной массы
Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1780–1786
-
Граничные условия и эффективная масса электронов в сверхрешетке
Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 323–327
-
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном
аморфном полупроводнике
Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 844–847
-
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость
в нелегированных аморфных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 136–143
-
Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой
сверхрешетки
Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 839–844
-
Поглощение света и линейный фотогальванический эффект, обусловленные несоразмерной сверхструктурой в сегнетоэлектрике Ba$_{2}$NaNb$_{5}$O$_{15}$
Физика твердого тела, 30:9 (1988), 2746–2752
-
Энергетическое распределение электронов или экситонов в системе неравновесных фононов
Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1161–1166
-
Магнитоиндуцированный циркулярный фотогальванический эффект в $p$-GaAs
Физика твердого тела, 30:4 (1988), 990–996
-
Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной
квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света
Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 784–788
-
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 24–30
-
Поляризационная зависимость четырехволнового смешивания в кристаллах кубической симметрии
Физика твердого тела, 28:12 (1986), 3660–3663
-
Теория двухфононного резонансного рассеяния света с участием акустического и оптического фононов
Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2023–2031
-
Фотоиндуцированная гиротропия при четырехволновом взаимодействии в $p$-Ge
Физика твердого тела, 28:1 (1986), 291–293
-
Нестационарный фототок в гиротропных кристаллах
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 886–891
-
Особенность в спектре двухфононного мандельштам-бриллюэновского рассеяния назад
Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1096–1104
-
Оптическая ориентация по спину и выстраивание импульсов дырок в $p$-InAs
Физика твердого тела, 27:3 (1985), 710–717
-
Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. Сдвиговый вклад
Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3362–3368
-
Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре
II. Эксперимент
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 648–654
-
Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре
I. Теория
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 639–647
-
Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 93–101
-
Поляризация люминесценции параэкситонов в кристаллах закиси меди в магнитном поле
Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3002–3008
-
Памяти Роберта Арнольдовича Суриса
УФН, 194:6 (2024), 677–678
-
Памяти Владимира Моисеевича Аграновича
УФН, 194:6 (2024), 675–676
-
Памяти Вадима Львовича Гуревича
УФН, 192:2 (2022), 229–230
-
Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894
-
К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова
Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 481
-
Николай Николаевич Розанов (к 80-летию со дня рождения)
УФН, 191:4 (2021), 445–446
-
Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)
УФН, 190:12 (2020), 1343–1344
© , 2026