Полоскин Дмитрий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  810–816
2. Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915
3. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
4. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
5. Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925
6. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
7. Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока
   
   ЖТФ, 87:11 (2017),  1682–1686
8. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1632–1646
9. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
10. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
11. Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  255–257
12. Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  120–124
13. О смешанной проводимости, включающей квазиметаллическую проводимость по примесной зоне, в легированных полупроводниковых структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  491–496
14. Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007),  202–207
15. Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004),  36–40
16. Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  568–573