RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Качоровский Валентин Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Немагнитный механизм рассеяния назад в геликоидальных краевых состояниях

    Письма в ЖЭТФ, 122:8 (2025),  495–506
  2. Латеральная плазмонная сверхрешетка в нерезонансном режиме

    Письма в ЖЭТФ, 122:1 (2025),  60–70
  3. Дробовой шум в интерферометре Ааронова–Бома на основе геликоидальных краевых состояний

    Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  480–491
  4. Высокотемпературный дробовой шум в одноканальном интерферометре Ааронова–Бома

    Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  470–479
  5. Дробовый шум в геликоидальных краевых состояниях в присутствии статического магнитного дефекта

    Письма в ЖЭТФ, 119:5 (2024),  364–371
  6. Управление зонной структурой латерального плазменного кристалла магнитным полем

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  115–119
  7. Эффективный гамильтониан топологически защищенного кубита в геликоидальном кристалле

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  376–383
  8. Aharonov–Bohm interferometry based on helical edge states (Mini-review)

    Письма в ЖЭТФ, 113:11 (2021),  729–730
  9. Классическое магнетосопротивление двухкомпонентной системы, обусловленное термоэлектрическими эффектами

    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  798–808
  10. High-temperature Aharonov–Bohm effect in transport through a single-channel quantum ring

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  946–958
  11. Spin dynamics in the regime of hopping conductivity

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  61–64
  12. Скорость стримера, распространяющегося от острия, при линейном росте напряжения

    Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  73–76
  13. Метод теоретического определения скорости стримера и формы его поверхности

    ЖТФ, 59:8 (1989),  7–13
  14. Температурная зависимость емкости карбид-кремниевых $p{-}n$-переходов

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1257–1260
  15. Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  178–181

© МИАН, 2026