Кульбачинский Владимир Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термоэлектрические свойства монокристаллов твердых растворов висмут–мышьяк–теллур
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  248–251
2. Термоэлектрическая эффективность и квантовая подвижность дырок в монокристаллах теллурида сурьмы, легированных медью
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1138–1143
3. Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd$_{1-x}$Zn$_x$)$_3$As$_2$ ($x=0.007$) single crystals
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  174–175
4. Термоэлектрические свойства нанокомпозитов Sb$_{2}$Te$_{3}$ c графитом
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  645–647
5. Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi$_{2}$Se$_{3}$ и дырок в Sb$_{2}$Te$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  886–892
6. Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой локализацией, в условиях изменения размерности системы под действием магнитного поля и температуры
   
   Письма в ЖЭТФ, 101:3 (2015),  207–211
7. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  942–950
8. Эффект Шубникова–де Гааза и термоэлектрические свойства Sb$_2$Te$_3$ и Bi$_2$Se$_3$, легированных таллием
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  786–792
9. Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  204–213
10. Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:9 (2014),  648–653
11. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220
12. Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  927–934
13. Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1546–1553
14. Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  500–506
15. Influence of disorder on electron-hole pairing in graphene bilayer
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:4 (2011),  238–241
16. Аномально низкая теплопроводность и термоэлектрические свойства новых катионных клатратов в системе Sn–In–As–I
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1454–1458
17. Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1373–1378
18. Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллурида висмута с фуллеренами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1241–1245
19. Термоэлектрические свойства BiTeI с BiI$_3$, CuI и сверхстехиометрическим Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  874–878
20. Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  666–671
21. Гальваномагнитные, термоэлектрические свойства и электронное строение монокристаллических BiTeBr и BiTeI
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1596–1601
22. Электропроводность и магнитные свойства тонких пленок оксида цинка, легированного кобальтом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  164–169
23. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок
    
    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39
24. Аномальный эффект Холла и ферромагнетизм в новом разбавленном магнитном полупроводнике Sb$_{2-x}$Cr$_x$Te$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  426–430
25. Сверхтвердые сверхпроводящие материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005),  323–326
26. Низкотемпературный ферромагнетизм в новом полумагнитном полупроводнике Bi$_{2-x}$Fe$_x$Te$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:7 (2001),  396–400
27. Электрофизические свойства гетероинтеркалированного соединения внедрения в графит типа акцептор-акцептор
    
    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3366–3372
28. Магнитная восприимчивость и эффект Мессбауэра в CdS, легированном Fe
    
    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2016–2024
29. Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1801–1814
30. Низкотемпературная электропроводность ионно-имплантированного фосфором и сурьмой кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  878–881
31. Влияние интеркалирования атомами металлов на энергетический спектр Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  812–816
32. Критические параметры литиевого интеркалята 2$H$-NbSe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  698–701
33. Аномалии магнитных и гальваномагнитных свойств разбавленных твердых растворов (Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$)$_{3}$As$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2201–2214
34. Фаза осцилляций магнитокинетических коэффициентов вырожденных двумерных электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  612–616
35. Низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  513–517
36. Характер рассеяния электронов в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se при сверхнизких температурах
    
    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2495–2497
37. Об электронной модели дефектных углеродных материалов
    
    Физика твердого тела, 32:1 (1990),  151–155
38. Двумерная сверхрешетка в соединении внедрения в графит с серной кислотой
    
    Физика твердого тела, 32:1 (1990),  94–97
39. Квантовый эффект Холла и $g$-фактор $2D$-электронов в гетероструктурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1905–1910
40. Локальные состояния в In$_{x}$Bi$_{2-x}$Te$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  283–286
41. Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As на переменном токе
    
    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  73–78
42. Влияние давления на энергетический спектр $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 31:1 (1989),  205–208
43. Эффект локализации в инверсионном слое на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1704–1706
44. Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1657–1660
45. Низкотемпературные особенности явлений переноса в $n$-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  799–805
46. Перетекание электронов на примесный уровень в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  375–380
47. Локализация и сверхпроводимость в углеродных волокнах
    
    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1687–1690
48. Влияние магнитного поля и давления на электросопротивление соединения CeMo$_{6}$S$_{8}$
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  3144–3147
49. Особенности эффекта Шубникова$-$де Гааза у графита и его интеркалированных соединений
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1763–1767
50. Двумерная локализация носителей в углеродных волокнах
    
    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  263–265
51. Двумерная проводимость в InSe при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1001–1004
52. Влияние давления на электронные свойства гетероинтеркалированного графита
    
    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  930–934
53. Суперметаллическая проводимость и энергетический спектр у соединения внедрения в графит хлорида меди третьей ступени
    
    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  302–305
54. Влияние гидростатического давления на диэлектрические свойства CsH$_{2}$PO$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3159–3161
55. Акустическая нелинейность в сплаве BiSb вблизи электронно-топологического перехода
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  293–295