Филатов Дмитрий Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. In situ исследование роста филаментов в пленках стабилизированного диоксида циркония методом контактной емкостной атомно-силовой микроскопии
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1441–1445
2. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
3. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
4. Формирование наночастиц Au в пленках SiO$_2$–TiO$_2$ методом локального электрохимического восстановления с помощью зонда атомно-силового микроскопа
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 3,  116–126
5. Влияние температуры на диссипативное туннелирование электронов через наночастицы Co в пленках HfO$_2$
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 2,  108–121
6. Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  5–8
7. Изучение оптически наведенного заряда наночастиц Au в пленках ZrO$_2$(Y) методом сканирующей Кельвин-зонд микроскопии
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1937–1942
8. Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
   
   ЖТФ, 92:10 (2022),  1582–1587
9. Features of tunneling current-voltage characteristics in dielectric films with Ni, Fe and Co nanoparticles, investigated by conductive AFM and within the framework of the theory of 1D-dissipative tunneling
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 13:6 (2022),  621–627
10. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
11. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
    
    ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
12. Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
    
    ЖТФ, 91:10 (2021),  1431–1440
13. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
14. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
15. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
    
    Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
16. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
    
    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
17. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1825–1829
18. Особенности двумерных бифуркаций при диссипативном туннелировании электронов в массивах Au наночастиц
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1797–1805
19. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
20. Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 90:5 (2020),  826–830
21. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
22. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
23. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
24. Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1267–1270
25. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
    
    ЖТФ, 88:2 (2018),  219–223
26. A comparative analysis of the observed effects of 2d tunneling bifurcations for quasi-one-dimensional and quasi-two-dimensional au-qd systems in an external electric field
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  724–734
27. Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  752–757
28. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
29. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  505
30. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
31. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  88–93
32. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  563–568
33. Резонансное туннелирование с участием фононов и его фононный контроль
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  406–412
34. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
35. Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  94–101
36. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
37. Ионный и туннельный механизмы проводимости для растущих квантовых точек из коллоидного золота
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 3,  163–176
38. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414
39. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  399–405
40. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
41. Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота
    
    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  62–70
42. Влияние промотирующих фононных мод широкозонной матрицы на туннельные вольт-амперные характеристики полупроводниковых квантовых точек
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2014, № 2,  132–150
43. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014),  175–180
44. Моделирование электронно-оптических процессов в диоде на основе структуры $N^+-SI/N-SI:ER/P^+-SI$ при обратном смещении и пути повышения достоверности моделирования структур
    
    Междунар. науч.-исслед. журн., 2013, № 1(8),  11–14
45. Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1153–1158
46. Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  414–418
47. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с $p$–$n$-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  87–92
48. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  57–61
49. Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1552–1558
50. Создание и исследование нанопористых пленок двуокиси титана методом импульсной интерференционной литографии
    
    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  925–927
51. Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2,  123–135
52. Аномальный ферромагнитный резонанс в осажденных из лазерной плазмы слоях германия, легированного марганцем и алюминием
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:12 (2009),  852–855