Яссиевич Ирина Николаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
2. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
3. Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO$_{2}$: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1145–1149
4. Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1325–1340
5. Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  639–642
6. Роль поверхностных автолокализованных экситонов в энергетической релаксации фотовозбужденных кремниевых нанокристаллов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  503–508
7. Трионы в кремниевых нанокристаллах в матрице аморфного гидрогенизированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  249–252
8. Излучательная и безызлучательная рекомбинация автолокализованного экситона на поверхности кремниевого нанокристалла
   
   Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013),  93–97
9. Излучение кремниевых нанокристаллов. Обзор
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  147–167
10. Передача энергии между нанокристаллами кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011),  162–165
11. Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  210–217
12. Direct bandgap optical transitions in Si nanocrystals
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:12 (2009),  856–860
13. Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  756–760
14. Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006),  410–413
15. Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004),  448–451
16. Неравновесное распределение дефектов по энергиям колебаний при многофононной рекомбинации
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1815–1824
17. Захват электронов на отталкивающие кулоновские центры в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1569–1573
18. Спектральное распределение поляризации оптически ориентированных фотоносителей в полупроводниках при индуцированных рекомбинационных оптических переходах
    
    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  174–181
19. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1489–1516
20. Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  298–306
21. Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2193–2197
22. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1397–1406
23. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации
    
    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  135–148
24. Новый «электронный» механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2232–2234
25. Термополевая ионизация примесей. Многомодовое рассмотрение
    
    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2498–2504
26. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1793–1802
27. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  262–268
28. Оже-рекомбинация экситонно-примесных комплексов
    
    Физика твердого тела, 29:8 (1987),  2351–2360
29. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1648–1653
30. Электропоглощение света глубокими примесными центрами в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2127–2134
31. К вопросу о примесной Оже-рекомбинации
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2313–2319
32. Учет возмущения волновых функций непрерывного спектра в примесном поглощении
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1492–1498
33. Роль рассеяния на мелких нейтральных центрах в кинетических явлениях при низкой температуре
    
    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  69–76
34. Оже-рекомбинация через доноры
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1715–1717
35. Потенциалы ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  96–100
36. Туннелирование с глубоких примесных центров в сильном электрическом поле
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3307–3315
37. Сечение фотоионизации для переходов $h$-центр–зона проводимости
    
    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1877–1879
38. Ударная рекомбинация электронов через глубокие и мелкие акцепторы в полупроводниках $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  43–48
39. Термостимулированная эмиссия электронов в изоляторах
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1855–1857
40. Фотоионизаация глубоких $h$-центров в полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1650–1659
41. О правиле Урбаха
    
    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  727–733
42. Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  875–880
43. Ударная ионизация электронами в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  46–51