RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дорохин Михаил Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Термоэлектрические свойства квантовых точек InGaAs/GaAs

    ЖТФ, 96:1 (2026),  149–160
  2. Управление магнитными характеристиками спиновых светодиодов с магнитной системой “дельта-слой Mn–квантовая яма InGaAs/GaAs” за счет дельта-легирования акцепторной примесью

    Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1348–1353
  3. Исследование эффекта Нернста–Эттингсгаузена в тонких слоях Co/Pt при комнатных температурах

    Физика твердого тела, 67:6 (2025),  1133–1138
  4. Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод

    УФН, 195:5 (2025),  543–556
  5. Ферромагнетизм в GaAs структурах, дельта-легированных Fe

    Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1535–1540
  6. Магнитная анизотропия пленок Сo/Pt, приготовленных последовательным напылением слоев субатомных толщин

    Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1272–1277
  7. Методы модуляции микромагнитных характеристик многослойных тонкопленочных систем [Co/Pt]

    Физика твердого тела, 66:6 (2024),  901–905
  8. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt

    Физика твердого тела, 66:2 (2024),  184–189
  9. Синтез и термоэлектрические свойства высшего силицида марганца

    Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  376–380
  10. Управление микромагнитной структурой многофазных тонких пленок CoPt путем варьирования толщин слоев

    Физика твердого тела, 65:6 (2023),  989–995
  11. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур

    Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
  12. Влияние высокотемпературного отжига на физико-химические свойства систем на основе FeSi$_x$

    Физика твердого тела, 65:3 (2023),  509–512
  13. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt

    УФН, 193:3 (2023),  331–339
  14. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt

    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1304–1310
  15. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/CoPt, помещенных в сильное и слабое магнитное поле

    ЖТФ, 92:5 (2022),  724–730
  16. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
  17. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt

    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
  18. Steel 110G13L. Thermomagnetic and galvanomagnetic effects in its films

    Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 14:2 (2021),  242–248
  19. Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании

    ЖТФ, 91:12 (2021),  1975–1983
  20. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах

    ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
  21. Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  773–778
  22. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
  23. Экспериментальное исследование коэффициента теплопроводности в тонких пленках на основе одностенных углеродных нанотрубок

    Физика твердого тела, 62:6 (2020),  960–964
  24. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As

    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
  25. Nanostructured SiGe:Sb solid solutions with improved thermoelectric figure of merit

    Наносистемы: физика, химия, математика, 11:6 (2020),  680–684
  26. Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1139–1144
  27. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
  28. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb

    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
  29. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$

    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
  30. Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2344–2348
  31. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения

    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
  32. Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл

    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1628–1633
  33. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
  34. Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1182–1188
  35. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
  36. Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  101–103
  37. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
  38. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена

    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  52–55
  39. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
  40. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2158–2165
  41. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
  42. Investigation of the initial stages of spark-plasma sintering of Si-Ge based thermoelectric materials

    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018),  622–630
  43. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1455–1459
  44. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
  45. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
  46. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
  47. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
  48. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2135–2141
  49. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции

    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
  50. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства

    ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
  51. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
  52. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1456–1461
  53. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2190–2194
  54. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2186–2189
  55. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1473–1478
  56. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
  57. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn

    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8
  58. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
  59. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1497–1500
  60. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1478–1483
  61. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
  62. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
  63. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом

    ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
  64. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  839–844
  65. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs

    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  96–103
  66. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1554–1560
  67. Магнитоуправляемый светодиод с $S$-образной вольт-амперной характеристикой

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  87–94
  68. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb

    Письма в ЖТФ, 38:16 (2012),  69–77
  69. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией

    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  57–65
  70. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ и Ni

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1447–1450
  71. Температурная стабильность фотолюминесценции в гетероструктурах с InGaAs/GaAs квантовой ямой и акцепторным дельта $\langle$Mn$\rangle$-слоем в GaAs барьере

    Письма в ЖТФ, 36:17 (2010),  87–95
  72. Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме

    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  730–735

© МИАН, 2026