Монсо П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Медленные осцилляции поперечного магнетосопротивления в HoTe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:2 (2025),  153–159
2. Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe$_3$ и HoTe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023),  171–176
3. Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  196–199
4. Магнитосопротивление в режиме движущейся волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 107:8 (2018),  507–511
5. Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в наноперфорированном графене
   
   Письма в ЖЭТФ, 98:4 (2013),  242–246
6. Charge density wave transport in NbSe$_3$ at low temperatures under high magnetic field
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011),  101–104
7. Поперечное напряжение в отсутствие магнитного поля в квазиодномерном проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011),  60–62
8. Эффект Ааронова-Бома на многостенных углеродных нанотрубках в режиме, близком к сильной локализации носителей
   
   Письма в ЖЭТФ, 90:9 (2009),  672–675
9. Периодические по полю осцилляции магнетосопротивления тонких монокристаллов графита с колоннообразными дефектами
   
   Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009),  526–530
10. Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в $\mathrm{NbSe}_3$ сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:8 (2008),  502–506
11. Аномальная асимметрия магнитосопротивления монокристаллов $\mathrm{NbSe_3}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:5 (2006),  329–333
12. Interaction of both charge density waves in $\mathrm{NbSe_3}$ from interlayer tunneling experiments
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:2 (2006),  95–98
13. Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe$_3$ при различной ориентации магнитного поля
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005),  162–165
14. Unconventional magnetoresistance in long InSb nanowires
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:3 (2003),  162–166
15. Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  103–108
16. Переход к одномерной проводимости при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS$_3$ и NbSe$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:1 (2001),  29–32