Абросимов Николай Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Теплопроводность монокристаллов изотопно-обогащенного германия $^{70}$Ge, $^{72}$Ge, $^{74}$Ge в интервале 80–310 K
   
   Физика твердого тела, 65:8 (2023),  1448–1452
2. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
3. Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915
4. Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145
5. Растворимость магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  858–861
6. Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  500
7. Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  299–303
8. Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149
9. Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1134–1138
10. Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  933–937
11. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
12. Исследование примеси магния в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  321–326
13. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
14. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
15. Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288
16. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
17. Исследование энергетического спектра кристаллов Si : Mg методом DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  799–804
18. Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  314–316
19. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
20. Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560
21. Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705
22. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
23. Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1143–1145
24. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
25. Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23
26. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
27. Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии
    
    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120
28. Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция кремния с литием при межзонном возбуждении
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  876–880
29. Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1592–1596
30. Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1473–1478
31. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205
32. Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  168–173
33. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1468–1474
34. Oxygen in Ge : Sn
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1297–1301
35. Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009),  501–504