Ежевский Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  654–658
2. Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1134–1138
3. Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  933–937
4. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
5. Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  168–173
6. Температурная перенормировка $g$-фактора электронов проводимости в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1604–1608
7. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1468–1474
8. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с $p$–$n$-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  87–92
9. Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы
   
   Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009),  501–504