|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Природа дефектов, ответственных за красный сдвиг края фундаментального поглощения и увеличение показателя преломления облученного Si$_3$N$_4$
Физика твердого тела, 67:11 (2025), 2117–2122
-
Аномально узкий спектр локализованных состояний в аморфном нитриде кремния
Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1721–1724
-
Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде бора
Письма в ЖЭТФ, 114:7 (2021), 498–501
-
Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535
-
Ближний порядок, транспорт заряда в SiO$_{x}$: эксперимент и численное моделирование
Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 81–88
-
Релаксация тока в Si$_{3}$N$_{4}$: эксперимент и численное моделирование
Физика твердого тела, 59:1 (2017), 49–53
-
Дырочно-стимулированный перенос ловушек в диэлектриках
Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017), 605–609
-
Двухзонная проводимость Si$_3$N$_4$
Физика твердого тела, 56:6 (2014), 1046–1051
-
Многофононный механизм ионизации глубоких центров в HfO$_2$
Физика твердого тела, 55:5 (2013), 888–891
-
Крупномасштабные флуктуации потенциала, обусловленные неоднородностью состава SiO$_x$
Физика твердого тела, 54:3 (2012), 465–470
-
Многофононный механизм ионизации ловушек в Al$_2$O$_3$: эксперимент и численное моделирование
Письма в ЖЭТФ, 89:10 (2009), 599–602
-
Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде кремния: эксперимент и численное моделирование
Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 455–458
© , 2026