Федосенко Евгений Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
2. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  1040–1044
3. Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  877–881
4. Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  748–753
5. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
6. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
   
   ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
7. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
8. Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1574–1578
9. Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  185–189
10. Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  94–97