Марин Денис Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  153–159
2. Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения
   
   Оптика и спектроскопия, 131:9 (2023),  1213–1218
3. Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  469–475
4. Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  16–19
5. Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Оптика и спектроскопия, 129:1 (2021),  33–40
6. In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1240–1247
7. Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te
   
   Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35
8. Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения
   
   Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020),  1815–1820
9. Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  14–17
10. Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  137–142
11. Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  625–629
12. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
13. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
14. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  788–792
15. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур
    
    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
16. Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  334–339
17. Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GeO$_{x}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  472–476
18. Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO$_2$ при облучении тяжелыми ионами высоких энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1363–1368
19. Влияние состава слоев SiO$_x$ на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  419–424
20. Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO$_2$ при облучении быстрыми тяжелыми ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  544–549
21. Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$ при изохронных печных и импульсных отжигах
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  102–110
22. Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO$_2$ matrix
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  84–88
23. Видимая фотолюминесценция нанопорошков кремния, созданных испарением кремния мощным электронным пучком
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:8 (2004),  619–622
24. Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллы германия
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:8 (2003),  485–488