Дроздов Юрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  958–961
2. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
3. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
4. Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях
   
   Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  38–42
5. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
6. Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
   
   Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  50–54
7. Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1380–1383
8. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325
9. Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1300–1303
10. Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка
    
    Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19
11. Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  52–60
12. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59
13. Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1647–1651
14. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462
15. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  27–35
16. Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48
17. Особенности магнетронного напыления эпитаксиальных пленок YBCO для применений в устройствах сверхпроводниковой электроники
    
    ЖТФ, 85:11 (2015),  109–116
18. Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472
19. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24
20. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
21. Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  17–25
22. Рост и особенности формирования микроструктуры пленок YBCO, получаемых методом магнетронного напыления на подложках из фианита
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  68–72
23. Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
    
    ЖТФ, 84:3 (2014),  94–98
24. Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1138–1146
25. Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420
26. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46
27. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1580–1585
28. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  45–54
29. Изменения элементного состава и микроструктуры мишени YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ при магнетронном распылении
    
    Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  41–50
30. Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1593–1596
31. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
32. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1515–1520
33. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1444–1447
34. Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1419–1423
35. Прототипы фотовольтаических ячеек на основе субфталоцианина с нижним буферным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1408–1413
36. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  86–94
37. Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  75–85
38. Исследование электрофизических и структурных параметров YBCO-пленок, выращенных за несколько ростовых циклов
    
    Письма в ЖТФ, 37:14 (2011),  54–59
39. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1527–1532
40. Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  538–543
41. Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  418–421
42. Осаждение YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ пленок на обе стороны подложки методом магнетронного напыления
    
    Письма в ЖТФ, 36:18 (2010),  60–66
43. Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  80–83
44. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429
45. Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с напряженными слоями
    
    Физика твердого тела, 32:7 (1990),  1933–1940
46. Спектры электроотражения света от поверхности сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1962–1967
47. Спектры электроотражения света от периодических структур Ge$_{1-x_{1}}$Si$_{x_{1}}{-}$Ge$_{1-x_{2}}$Si$_{x_{2}}$ со сверхтонкими слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  118–122
48. Алгебраический метод построения суперпозиционных функций
    
    Докл. АН СССР, 251:2 (1980),  350–352
49. К определению коэффициентов характеристического уравнения в задаче разделения искаженной шумами функции на сумму экспонент
    
    Докл. АН СССР, 248:6 (1979),  1341–1343
50. Кристаллическая структура трифенил (трифенилгермилперокси) силана $(\mathrm{C}_6\mathrm{H}_5)_3\mathrm{GeOOSi}(\mathrm{C}_6\mathrm{H}_5)_3$
    
    Докл. АН СССР, 246:3 (1979),  601–605
51. Новый метод построения векторных систем кристаллов без расчета рядов Фурье
    
    Докл. АН СССР, 242:2 (1978),  344–346
52. О кристаллической структуре моноаквапентафторогаллата аммония $(\mathrm{NH}_4)_2\mathrm{GaF}_5\cdot\mathrm{H}_2\mathrm{O}$
    
    Докл. АН СССР, 241:2 (1978),  357–359
53. К вопросу о решении интегрального уравнения Патерсона (для идеального случая непериодической электронной плотности)
    
    Докл. АН СССР, 225:1 (1975),  91–93
54. Аналитическое представление алгоритма отыскания линеек и параллелограммов взаимодействия в функции Патерсона
    
    Докл. АН СССР, 220:6 (1975),  1312–1315
55. Новое (аналитическое) представление процесса расшифровки функции Патерсона по функциям выделения
    
    Докл. АН СССР, 220:3 (1975),  588–591
56. Расшифровка кристаллической структуры $\mathrm{Na}_{11}\mathrm{Nb}_2\mathrm{Ti}[\mathrm{Si}_2\mathrm{O}_7]_2 [\mathrm{PO}_4]_2\mathrm{O}_3\mathrm{F}$ методом векторных подсистем
    
    Докл. АН СССР, 217:3 (1974),  569–572
57. Кристаллическая структура $\mathrm{Na}_{11}\mathrm{Nb}_2\mathrm{TiSi}_4\mathrm{P}_2\mathrm{O}_{25}\mathrm{F}$
    
    Докл. АН СССР, 216:1 (1974),  78–81
58. Кристаллическая структура ванадата серебра $\mathrm{Ag}_{2-x}\mathrm{V}_4\mathrm{O}_{10}$ ($x=0,57$)
    
    Докл. АН СССР, 210:2 (1973),  339–341
59. Анализ патерсоновской функции. Векторные подсистемы, отвечающие нескольким кратным пикам (совокупностям изолированных отрезков)
    
    Докл. АН СССР, 209:2 (1973),  344–347
60. Кристаллическая структура фенаксита $\mathrm{FeNaK}[\mathrm{Si}_4\mathrm{O}_{10}]$ ($\mathrm{KNaFe}[\mathrm{Si}_4\mathrm{O}_{10}]$)
    
    Докл. АН СССР, 194:4 (1970),  818–820