Андреев Борис Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:8 (2025),  688–695
2. Фотоиндуцированная перенормировка запрещенной зоны в вырожденных узкозонных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  563–570
3. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
4. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
5. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
6. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
7. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
8. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
9. Излучательные свойства ап-конверсионных покрытий, формируемых на основе ксерогелей титаната бария, легированных эрбием
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  713–718
10. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
11. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
12. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
13. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
14. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268
15. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
16. Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1344–1346
17. Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439
18. Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1398–1401
19. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
20. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
21. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
22. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522
23. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  422–429
24. Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009),  501–504
25. Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  80–83
26. Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных комплексах в кремнии и германии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  927–934