Дмитрук Н Л

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Взаимодействие поверхностных плазмонов и интерференционных мод в тонкопленочных наноструктурах
   
   Письма в ЖЭТФ, 99:3 (2014),  146–149
2. Physical nature of anomalous optical transmission of thin absorptive corrugated films
   
   Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  75–79
3. Аномальный фотоэмиссионный ток в контакте металл$-$полупроводник с микрорельефной поверхностью
   
   Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2647–2654
4. Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных структурах Pt$-$GaAs
   
   ЖТФ, 62:8 (1992),  88–94
5. Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1688–1692
6. Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические свойства $n^{+}$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  352–357
7. Низкотемпературный отжиг пластин GaAs, имплантированных ионами O$^{+}$
   
   Письма в ЖТФ, 18:20 (1992),  41–45
8. Фоточувствительность барьеров Шоттки Au$-$GaAs с микрорельефной поверхностью (область собственного поглощения света)
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  487–492
9. Влияние микрорельефа поверхности на эффект радиационно-стимулированного упорядочения
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  18–21
10. Поверхностные плазменные поляритоны в среде с пространственно-неоднородным переходным слоем
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  2857–2861
11. Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  287–291
12. Спектроскопия $\delta$-легированных слоев GaAs : Si
    
    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  27–31
13. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2113–2117
14. Изучение локальных центров в $p$-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  729–732
15. К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  207–212
16. Радиационная перестройка глубоких центров в барьерных структурах арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  156–159
17. Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию в полупроводниковых структурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1640–1646
18. Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  326–329
19. Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  322–325
20. Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей радиации
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  1977–1982
21. Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах ($p$-Si)$-$($n$-GaP)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1808–1811
22. К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  402–407
23. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1349–1351