Кулькова Светлана Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Effect of Si and Ti$_5$Si$_3$ on the adhesion at the $\alpha$-Al$_2$O$_3$/$\gamma$-TiAl interface and oxygen diffusion in the alloy
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 16:4 (2025),  460–466
2. Elastic and thermal properties of some ternary $\beta$-Ti based alloys
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 16:2 (2025),  225–234
3. Первопринципное изучение реконструкций поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  631–642
4. Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  3–12
5. Адгезия на границе раздела Ta(Mo)/NiTi
   
   Письма в ЖТФ, 45:12 (2019),  37–41
6. Адсорбция кислорода на низкоиндексных поверхностях сплава Ti$_{3}$Al
   
   Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1828–1842
7. Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) поверхности
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1153–1158
8. Адсорбция галогенов на As-стабилизированной $\beta$2–GaAs(001)–(2$\times$4) поверхности
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  171–179
9. Взаимодействие водорода с примесями в металлах IVB группы
   
   Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1873–1882
10. Адсорбция водорода на низкоиндексных поверхностях сплава PdFe
    
    Физика твердого тела, 56:6 (2014),  1212–1220
11. Теоретическое изучение адгезии на границах раздела металл–диоксид циркония
    
    ЖТФ, 83:3 (2013),  17–25
12. Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  53–59
13. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652
14. Изучение адгезии пленок ниобия на разно-ориентированных поверхностях $\alpha$-Al$_2$O$_3$
    
    ЖТФ, 81:10 (2011),  114–121
15. Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  23–31
16. Электронная структура границы раздела (110) NiMnSb-полупроводник
    
    Физика твердого тела, 52:1 (2010),  100–105
17. Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  511–516
18. Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009),  209–214
19. Электронные и позитронные уровни в гексагональном нитриде бора
    
    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2218–2224
20. Электронная структура мартенситной фазы NiTi
    
    Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2129–2133