|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Effect of Si and Ti$_5$Si$_3$ on the adhesion at the $\alpha$-Al$_2$O$_3$/$\gamma$-TiAl interface and oxygen diffusion in the alloy
Наносистемы: физика, химия, математика, 16:4 (2025), 460–466
-
Elastic and thermal properties of some ternary $\beta$-Ti based alloys
Наносистемы: физика, химия, математика, 16:2 (2025), 225–234
-
Первопринципное изучение реконструкций поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb
Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 631–642
-
Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 3–12
-
Адгезия на границе раздела Ta(Mo)/NiTi
Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 37–41
-
Адсорбция кислорода на низкоиндексных поверхностях сплава Ti$_{3}$Al
Физика твердого тела, 59:9 (2017), 1828–1842
-
Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) поверхности
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1153–1158
-
Адсорбция галогенов на As-стабилизированной $\beta$2–GaAs(001)–(2$\times$4) поверхности
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 171–179
-
Взаимодействие водорода с примесями в металлах IVB группы
Физика твердого тела, 57:10 (2015), 1873–1882
-
Адсорбция водорода на низкоиндексных поверхностях сплава PdFe
Физика твердого тела, 56:6 (2014), 1212–1220
-
Теоретическое изучение адгезии на границах раздела металл–диоксид циркония
ЖТФ, 83:3 (2013), 17–25
-
Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)
Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 23–31
-
Электронная структура границы раздела (110) NiMnSb-полупроводник
Физика твердого тела, 52:1 (2010), 100–105
-
Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)
Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 511–516
© , 2026