RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Журавлев Константин Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия

    Квантовая электроника, 55:1 (2025),  30–35
  2. Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией

    Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024),  911–917
  3. Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)

    Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  349–357
  4. Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов

    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  53–61
  5. Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  39–42
  6. Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников

    Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  33–36
  7. Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)

    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  731–737
  8. Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  138–144
  9. Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  21–28
  10. InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля

    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  27–30
  11. Электрооптические и электроабсорбционные модуляторы на 1.5-микрометровый спектральный диапазон на основе InP

    Квантовая электроника, 53:11 (2023),  821–832
  12. Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131
  13. Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  802–807
  14. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  734–741
  15. Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684
  16. Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  667–671
  17. Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  646–650
  18. Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов

    Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  20–23
  19. Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора

    Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  37–41
  20. Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14
  21. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей

    ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731
  22. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
  23. Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  877–881
  24. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
  25. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами

    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
  26. AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  37–39
  27. AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  3–6
  28. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
  29. Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием

    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  42–45
  30. Процессы самосборки нанокристаллов CdS, синтезированных методом Ленгмюра–Блоджетт

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1573–1578
  31. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si

    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
  32. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN

    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
  33. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
  34. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
  35. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
  36. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
  37. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
  38. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
  39. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84
  40. Усиленная люминесценция сильнолегированных AlxGa1-xN-структур при оптическом возбуждении

    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
  41. Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт

    Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017),  21–25
  42. Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904
  43. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
  44. Передача электронного возбуждения из органической матрицы в нанокристаллы CdS, полученные методом Ленгмюра–Блоджетт

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  605–610
  45. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
  46. Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs

    Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89
  47. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке

    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
  48. Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1059–1063
  49. Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  191–194
  50. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах

    Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
  51. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN

    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
  52. Происхождение синей полосы люминесценции в оксиде циркония

    Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1320–1324
  53. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    ЖТФ, 85:4 (2015),  67–73
  54. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334
  55. Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  925–931
  56. Кинетика фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных методом Ленгмюра–Блоджетт

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  392–398
  57. Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  230–235
  58. Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры

    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  81–87
  59. Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N

    ЖТФ, 84:9 (2014),  96–99
  60. Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1237–1242
  61. Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1164–1168
  62. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  684–692
  63. Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  36–47
  64. Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и углеродными нанотрубками

    Письма в ЖЭТФ, 95:7 (2012),  403–407
  65. Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов

    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  84–89
  66. Квантование электронного спектра и локализация электронов и дырок в кремниевых квантовых точках

    Физика твердого тела, 53:4 (2011),  803–806
  67. Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного полевого GaAs-транзистора с затвором Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1652–1661
  68. Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  183–191
  69. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек

    Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  498–500
  70. Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом $p$–$i$–$n$-диоде

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1407–1410
  71. Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  358–366
  72. Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN

    Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  70–73
  73. Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs

    Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  664–667
  74. Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463

© МИАН, 2026