Александров Иван Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  802–807
2. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
3. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
4. Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1059–1063
5. Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  191–194
6. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  498–500