Кудрин Алексей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  48–52
2. Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод
   
   УФН, 195:5 (2025),  543–556
3. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
4. Ферромагнетизм в GaAs структурах, дельта-легированных Fe
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1535–1540
5. Методы модуляции микромагнитных характеристик многослойных тонкопленочных систем [Co/Pt]
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  901–905
6. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt
   
   Физика твердого тела, 66:2 (2024),  184–189
7. Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  156–160
8. Ферромагнитные слои GaMnAs, полученные имплантацией ионов марганца с последующим импульсным лазерным отжигом
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2230–2238
9. Создание ферромагнитного полупроводника GaMnAs комбинированным лазерным методом
   
   Физика твердого тела, 65:5 (2023),  754–761
10. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника
    
    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  719–724
11. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt
    
    УФН, 193:3 (2023),  331–339
12. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/CoPt, помещенных в сильное и слабое магнитное поле
    
    ЖТФ, 92:5 (2022),  724–730
13. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
14. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
    
    Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
15. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
16. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
17. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
18. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
19. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
20. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb
    
    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
21. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
22. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
23. Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1628–1633
24. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
25. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
26. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
27. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2158–2165
28. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
29. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
30. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  940–946
31. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
32. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
33. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
34. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2200–2202
35. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
36. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2135–2141
37. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
38. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
    
    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
39. Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1473–1479
40. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
41. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
42. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2186–2189
43. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
44. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
45. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1473–1478
46. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
47. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
48. Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости
    
    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  63–71
49. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
50. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1497–1500
51. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
52. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  839–844
53. Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1613–1616
54. Фотоотражение структур GaAs с дельта $\langle$Mn$\rangle$-легированным слоем
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  56–63
55. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1554–1560
56. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
57. Магнитоуправляемый светодиод с $S$-образной вольт-амперной характеристикой
    
    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  87–94
58. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией
    
    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  57–65
59. Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA 
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010),  312–317
60. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ и Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1447–1450
61. Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  46–53