Латышев Александр Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  102–108
2. Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi$_2$Se$_3$(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  606–611
3. Фазовый переход $\beta\Longleftrightarrow\beta'$ с температурным гистерезисом в пленках In$_2$Se$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  370–375
4. СВЧ-отклик квантового точечного контакта
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021),  108–113
5. Фотонно-стимулированный транспорт в квантовом точечном контакте (Миниобзор)
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:5 (2021),  328–340
6. Модуляция магнето-межподзонных осцилляций в одномерной латеральной сверхрешетке
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  337–342
7. Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  805–809
8. Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  456–461
9. Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
   
   Физика твердого тела, 60:4 (2018),  696–700
10. New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  517
11. Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  514
12. Квантовые точки AlInAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017),  93–99
13. Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  443–445
14. Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  212–215
15. Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  918–920
16. Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  607–611
17. Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  961–965
18. Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  519–523
19. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  35–40
20. Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  185–189
21. Микроволновый отклик баллистической квантовой точки
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013),  806–810
22. Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  313–318
23. Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012),  76–79
24. Особенности структуры и свойств нанопленок $\beta$-FeSi$_2$ и интерфейса $\beta$-FeSi$_2$/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:1 (2012),  23–28
25. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  27–36
26. Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  477–480
27. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011),  348–352
28. Дрейф адатомов на поверхности кремния (111) в условиях электромиграции
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  151–156
29. Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011),  740–745
30. Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  665–668
31. Двумерный электронный газ в решетке антиточек с периодом 80 нм
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:3 (2010),  145–149
32. Фотолюминесценция в области длин волн 1.5–1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  452–457
33. Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO$_x$ при изохронных печных и импульсных отжигах
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  102–110
34. Кондактанс коротких квантовых проволок с резкими границами
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:10 (2007),  752–756
35. Новый режим резонансов обратного рассеяния в квантовом интерферометре малых размеров
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006),  530–533
36. Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005),  326–330
37. Температурная зависимость осцилляций Ааронова–Бома в малых квазибаллистических интерферометрах
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  762–765
38. Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005),  149–153
39. Амплитуда осцилляций Ааронова–Бома в малых баллистических интерферометрах
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  168–172
40. Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003),  794–797
41. Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001),  182–185
42. Моноатомные ступени на поверхности кремния
    
    УФН, 168:10 (1998),  1117–1127
43. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния $(111)$ при сублимации в условиях нагрева электрическим током
    
    Докл. АН СССР, 300:1 (1988),  84–88


44. Александр Сергеевич Сигов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 195:6 (2025),  673–674
45. Юрий Николаевич Кульчин (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 193:3 (2023),  341–342
46. Сергей Николаевич Багаев (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 191:10 (2021),  1123–1124
47. Памяти Владислава Ивановича Пустовойта
    
    УФН, 191:8 (2021),  899–900
48. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 188:1 (2018),  119–120
49. Игорь Георгиевич Неизвестный (к 80-летию со дня рождения)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  286–287
50. Поправка
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006),  692