RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Захарьин Алексей Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Возбуждение терагерцевого излучения в $p$$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si

    Физика твердого тела, 65:5 (2023),  848–852
  2. Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния

    Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019),  821–825
  3. Внутриэкситонное и внутрицентровое терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении легированного кремния

    Письма в ЖЭТФ, 107:9 (2018),  564–568
  4. Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$$n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  632–636
  5. Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936
  6. Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)

    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23
  7. Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  314–318
  8. Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  249–253
  9. Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция кремния с литием при межзонном возбуждении

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  876–880
  10. Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1441–1445
  11. Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1158–1162
  12. Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния

    Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  393–396
  13. Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников

    Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010),  102–105
  14. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
  15. Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем

    Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006),  410–413
  16. Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии

    Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004),  448–451


© МИАН, 2026