|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si
Физика твердого тела, 65:5 (2023), 848–852
-
Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния
Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019), 821–825
-
Внутриэкситонное и внутрицентровое терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении легированного кремния
Письма в ЖЭТФ, 107:9 (2018), 564–568
-
Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 632–636
-
Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936
-
Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23
-
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 314–318
-
Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 249–253
-
Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении
Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880
-
Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1441–1445
-
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1158–1162
-
Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния
Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 393–396
-
Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников
Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 102–105
-
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446
-
Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем
Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006), 410–413
-
Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии
Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 448–451
© , 2026