Еремеев Сергей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Силицидные магнитно-активные блоки лантаноидов с сильным спин-орбитальным взаимодействием для создания магнитных гетероструктур
   
   Письма в ЖЭТФ, 122:12 (2025),  835–842
2. Surface electronic structure of TbIr$_2$Si$_2$ antiferromagnet
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 16:4 (2025),  467–471
3. Новый магнитный сверхпроводник стехиометрического состава EuRbFe$_4$As$_4$
   
   УФН, 192:7 (2022),  790–798
4. Магнитные свойства тримеров тяжелых $p$-элементов IV–VI групп
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019),  190–196
5. Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$
   
   Физика твердого тела, 58:4 (2016),  754–762
6. Димеры тяжелых $p$-элементов IV–VI групп: электронные, вибрационные и магнитные свойства
   
   Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  533–538
7. New topological surface state in layered topological insulators: unoccupied Dirac cone
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012),  870–874
8. Efficient step-mediated intercalation of silver atoms deposited on the Bi$_{2}$Se$_{3}$ surface
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012),  799–803
9. Giant Rashba-type spin splitting at polar surfaces of BiTeI
   
   Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012),  484–491
10. Природные серосодержащие минералы как топологические изоляторы с широкой запрещенной щелью
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  352–356
11. Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012),  230–235
12. Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  53–59
13. Вклад фононов в ширину линии поверхностных состояний на Pd(111)
    
    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2383–2388
14. Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$ и Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:3 (2011),  234–239
15. О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  110–115
16. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652
17. Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:1 (2011),  18–23
18. Изучение адгезии пленок ниобия на разно-ориентированных поверхностях $\alpha$-Al$_2$O$_3$
    
    ЖТФ, 81:10 (2011),  114–121
19. Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  23–31
20. Модельный псевдопотенциал для поверхности Cu(110)
    
    Физика твердого тела, 52:1 (2010),  175–180
21. Электронная структура границы раздела (110) NiMnSb-полупроводник
    
    Физика твердого тела, 52:1 (2010),  100–105
22. О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010),  183–188
23. Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI$_2$) – новый класс трехмерных топологических изоляторов
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  664–668
24. Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  511–516
25. Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах ${\rm A^V_2\rm B^{VI}_3}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010),  419–423
26. Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009),  209–214