Валов П М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Неизотермическая нуклеация в твердом растворе CuCl в стекле: температурная область образования закритических зародышей фазы CuCl
   
   Физика твердого тела, 60:5 (2018),  984–988
2. Концентрационный эффект при неизотермической нуклеации в условиях нагрева твердого раствора
   
   Письма в ЖТФ, 43:11 (2017),  33–39
3. Неизотермическая нуклеация в твердом растворе CuCl в стекле: нуклеация при непрерывном охлаждении твердого раствора
   
   Физика твердого тела, 57:5 (2015),  988–993
4. Неизотермическая нуклеация в твердом растворе CuCl в стекле: образование двух распределений наночастиц новой фазы в твердом растворе при отрицательном скачке температуры нуклеации
   
   Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1167–1170
5. Неизотермическая нуклеация в твердом растворе CuCl в стекле: растворение докритических зародышей CuCl при положительном скачке температуры нуклеации
   
   Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1161–1166
6. Образование двух распределений наночастиц новой фазы в твердом растворе
   
   Письма в ЖЭТФ, 95:5 (2012),  273–276
7. Кинетика нуклеации в твердом растворе CuCl в стекле: расчет и сравнение с экспериментом
   
   Физика твердого тела, 53:3 (2011),  446–451
8. Создание и распад докритических зародышей в твердом растворе
   
   Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  656–658
9. Высокотемпературная люминесценция хлорида серебра при высоких уровнях фотовозбуждения
   
   Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2906–2908
10. Высокотемпературная люминесценция галоидомедных фотохромных стекол
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1671–1675
11. Влияние фотолиза на люминесценцию AgCl при комнатной температуре
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1454–1457
12. Низкопороговое устройство для пассивной синхронизации мод импульсных ИК лазеров
    
    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  323–327
13. Сверхмалоинерционный неохлаждаемый фотоприемник на основе внутризонной μ-фотопроводимости
    
    Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1386–1389
14. Приборы для регистрации излучения импульсных ИК лазеров на основе эффекта увлечения светом носителей заряда в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  95–102